【辰显微课堂】Micro-LED技术揭秘之一：芯片制造的挑战与突破

虽然我们之前分享过很多篇关于Micro-LED技术的文章，但Micro-LED究竟是什么呢？我们将会出一个系列文章通过五大主题：芯片制造，基板制造，巨量转移，检测修复，模组封装，为你详细介绍什么是Micro-LED。本文作为开篇，将聚焦于Micro-LED的芯片制造。

Micro-LED技术概述

Micro-LED，即微型发光二极管，是一种新型的显示技术，它利用微小的LED作为显示单元。与传统的液晶显示器和OLED显示器不同，Micro-LED显示器由数百万个微小的LED组成，每个LED都可以独立发光，具有高亮度、高对比度、高色彩饱和度和快速响应时间的优势。

芯片制造的挑战与技术要点

Micro-LED芯片制造的挑战主要集中在以下几个方面：

1、芯片良率的挑战

随着Micro-LED芯片的微缩化，半导体制造工艺的复杂度显著增加，从而使得单站制程的良品率(Yield)成为衡量生产效率和产品质量的关键指标。尽管目前良品率控制主要针对单个晶圆(Wafer)进行，且最高良品率可达99.9%，但这种单一指标并不足以全面反映芯片的实际品质和可靠性。

2、发光效率的挑战

随着尺寸的减小，Micro-LED在高电流密度下发光效率急剧降低。研究表明与芯片几何结构中的微小“侧壁”缺陷有关，对于Micro-LED来说，即使是微小的2μm侧壁缺陷也可能导致破坏性的影响，因此如何减小侧壁损伤或对侧壁进行有效修复，对Micro-LED芯片的加工工艺提出了新的挑战。

3、分光分色的挑战

为了保证亮度和色度的一致性，LED产品需要进行分光分色。Micro-LED芯片微缩后，传统的测量设备不再适用，对Micro-LED芯片的分光分色提出了新的挑战。这要求开发新的测量技术和方法，以适应Micro-LED的微缩化特性。

Micro-LED芯片的微缩化为制造工艺带来了一系列挑战，从芯片良率的工艺难点，到发光效率和分光分色的难题，每一个环节都需要技术创新和精细的工艺控制。尽管面临诸多挑战，但随着技术的不断发展和突破，Micro-LED显示技术有望在未来的显示领域大放异彩。在接下来的系列文章中，我们将继续深入探讨Micro-LED的其他核心主题，敬请期待。